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| Artikel-Nr.:
822EL-2224606 Herst.-Nr.:
AUIRF2804STRL7P EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 320 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0016 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.Advanced Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten Bleifrei, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0016 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2224606, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRF2804STRL7P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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