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| Artikel-Nr.:
822EL-2224647 Herst.-Nr.:
IPA95R450P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,45 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS
Das Infineon Design der Cool MOS TM P7-Serie setzt neue Maßstäbe in 950-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Super-Abzweigtechnologie-Innovation von Infineon ergibt.Vollständig optimiertes Portfolio Beste Qualität und Zuverlässigkeit von Cool MOS Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz Best-in-Class FOM RDS(on) * Eoss Reduzierte Qg, Ziss und Coss Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 14 A | Drain-Source-Spannung max.: | 900 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,45 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2224647, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA95R450P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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