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Infineon CoolMOS™ IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2224654
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB60R099P7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,099 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
31 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
CoolMOS™
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,099 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2224654, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB60R099P7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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