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| Artikel-Nr.:
822EL-2224675 Herst.-Nr.:
IPD80R2K8CEATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Serie = CoolMOS
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Green Product (RoHS-konform) MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Transistor-Werkstoff: | Silicon | Serie: | CoolMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224675, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD80R2K8CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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