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Infineon CoolMOS IPN80R2K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin SOT-223


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2224689
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPN80R2K4P7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Serie = CoolMOS
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
SOT-223
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0024 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Serie:
CoolMOS
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 2224689, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN80R2K4P7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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