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| Artikel-Nr.:
822EL-2224739 Herst.-Nr.:
IRF6636TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 81 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0064 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 81 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | DirectFET ISOMETRISCH | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0064 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.45V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2224739, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6636TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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