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| Artikel-Nr.: 822EL-2224826 Herst.-Nr.: IDM02G120C5XTMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = DPAK (TO-252-2) Dauer-Durchlassstrom max. = 2A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = SiC-Schottky Pinanzahl = 2 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 2 A in einem DPAK Real2pin-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird jetzt mit einer neuen, zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstrom-Fähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid Kein Rückgewinnungsstrom / Keine Vorwärtsrückgewinnung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur Enge Durchlassspannungsverteilung Exzellente Wärmeleistung Erweiterte Stoßstrombelastbarkeit Spezifizierte dv/dt-Robustheit Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252-2) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 2A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: diode infineon, smd diode, 2224826, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDM02G120C5XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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