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| Artikel-Nr.:
822EL-2224875 Herst.-Nr.:
IPA60R099P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2) Integrierter Torwiderstand RG Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Serie: | CoolMOS™ P7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 99 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R099P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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