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| Artikel-Nr.:
822EL-2224936 Herst.-Nr.:
IPS70R900P7SAKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = IPAK SL (TO-251 SL)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPS70R
Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction-MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V CoolMOS TM P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten Integrierte Zenerdiode Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V. Fein abgestuftes Portfolio Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | IPAK SL (TO-251 SL) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IPS70R |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224936, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPS70R900P7SAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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