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| Artikel-Nr.:
822EL-2238453 Herst.-Nr.:
AUIRF7341QTR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,5 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2238453, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRF7341QTR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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