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| Artikel-Nr.: 822EL-2250565 Herst.-Nr.: BSS169IXTSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 mA Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Depletion Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = BSS169I Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 190 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Channel-Modus: | Depletion | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | BSS169I |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2250565, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS169IXTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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