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| Artikel-Nr.:
822EL-2259956 Herst.-Nr.:
SQJA16EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 278 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = N-Channel 60 V
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0065 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.AEC-Q101-qualifiziert 100 % Rg- und UIS-geprüft Dünnes 1,6-mm-Gehäuse Sehr niedriger Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 278 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | N-Channel 60 V | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0065 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2259956, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJA16EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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