|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-2266057 Herst.-Nr.:
FP15R12W1T7B11BOMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = EasyPIM
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Das Infineon 15 A PIM IGBT-Modul hat eine höhere Leistungsdichte und hat auch geringere Systemkosten. Er hat eine niedrige Spannung im eingeschalteten Zustand VCEsat und Vf.Verbesserte Steuerbarkeit von dv/dt Optimierte Schaltverluste für dv/dt 5 kV/μs 8 μs Kurzschlussfestigkeit Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 15 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | EasyPIM | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 23 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2266057, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP15R12W1T7B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |