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Infineon IGBT / 25 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin EasyPIM N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2266058
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP25R12W2T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = EasyPIM
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
25 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
EasyPIM
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
23
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266058, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP25R12W2T7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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