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| Artikel-Nr.:
822EL-2266059 Herst.-Nr.:
FP25R12W2T7B11BPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = EasyPIM
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Das Infineon 25 A PIM IGBT-Modul hat eine kompakte Bauweise und verwendete Presssitz-Kontakttechnologie. Er hat eine niedrige Spannung im eingeschalteten Zustand VCEsat.Überlastbetrieb bis zu 175 °C. 2,5 kV AC, 1 min Isolierung Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 25 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | EasyPIM | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 23 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2266059, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP25R12W2T7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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