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| Artikel-Nr.:
822EL-2266079 Herst.-Nr.:
IKA10N65ET6XKSA2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = PG-TO220
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IKA10N65ET6 bietet eine gute Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen und erhöhter Designmarge und Zuverlässigkeit. Es ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Rapid Diode.Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.) Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Low Gate-LadeQG Bleifreie KabelplattenRoHS-konform Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 25 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | PG-TO220 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266079, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKA10N65ET6XKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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