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| Artikel-Nr.:
822EL-2282843 Herst.-Nr.:
SIHB120N60E-T5-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = E Series
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,12 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | E Series | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,12 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2282843, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB120N60ET5GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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