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| Artikel-Nr.: 822EL-2282920 Herst.-Nr.: SiS176LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42,3 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0109 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 42,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 70 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0109 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2282920, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiS176LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Angebote (3) | | |
| ![](/p.gif) | Lagerstand | Mind.-Menge | ![](/p.gif) | Versand | | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Lager 822 | | ![](/p.gif) | | 3000 | ![](/p.gif) | Frei Haus | ab € 0,32* | € 0,40* | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | | ![](/p.gif) | | 1 | ![](/p.gif) | € 7,90* | ab € 0,46* | € 1,05* | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | 2 Tage | ![](/p.gif) | | 1 | ![](/p.gif) | € 7,95* | ab € 0,31361* | € 1,3736* | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Preise: Lager 822 | ![](/p.gif) | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | ![](/p.gif) | | | | | | | | | Bestellungen nur in Vielfachen von 3 000 Stück | Mindestbestellmenge: 3000 Stück ( entspricht € 1 200,00* zzgl. MwSt. ) |
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