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Vishay TrenchFET SiS178LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 45,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2282923
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiS178LDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 70 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0095 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
45,3 A
Drain-Source-Spannung max.:
70 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0095 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2282923, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiS178LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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