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| Artikel-Nr.: 822EL-2283053 Herst.-Nr.: STO65N60DM6 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 46 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = To-LL Typ A2 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,076 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 46 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | To-LL Typ A2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,076 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2283053, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STO65N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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