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onsemi SiC Power NTBGS004N10G N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 203 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2296446
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTBGS004N10G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 203 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0041 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SiC Power
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
203 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
7
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0041 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
SiC Power
Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2296446, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTBGS004N10G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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