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Infineon CoolGaN IGLD60R190D1AUMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 8-Pin LSON-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2320419
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGLD60R190D1AUMA3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = LSON-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolGaN
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
10 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
LSON-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,19 O
Gate-Schwellenspannung max.:
1.6V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
CoolGaN
Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 2320419, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGLD60R190D1AUMA3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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