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| Artikel-Nr.: 822EL-2326700 Herst.-Nr.: FP100R12N2T7BPSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Konfiguration = 3-phasig Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 31 Transistor-Konfiguration = 3-phasig Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 7 | Konfiguration: | 3-phasig | Montage-Typ: | Chassismontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 31 | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2326700, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP100R12N2T7BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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