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| Artikel-Nr.: 822EL-2326707 Herst.-Nr.: FP35R12N2T7B11BPSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 23 Transistor-Konfiguration = 3-phasig Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 35 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Gehäusegröße: | Modul | Montage-Typ: | Chassismontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 23 | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2326707, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP35R12N2T7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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