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| Artikel-Nr.:
822EL-2326709 Herst.-Nr.:
FP35R12N2T7BPSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Konfiguration = 3-phasig
Montage-Typ = Chassismontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Transistor-Konfiguration = 3-phasig Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 35 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 20 mW | Konfiguration: | 3-phasig | Montage-Typ: | Chassismontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 23 | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2326709, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP35R12N2T7BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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