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Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2347062
Hersteller:
     Renesas Electronics
Herst.-Nr.:
     2SK1835-E
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 1500 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
4 A
Drain-Source-Spannung max.:
1500 V
Gehäusegröße:
TO-3PN
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
4,6 O
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2347062, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Renesas Electronics, 2SK1835E, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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