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Infineon IPD19DP10NMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 13,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2354857
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD19DP10NMATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 13,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
13,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2354857, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD19DP10NMATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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