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| Artikel-Nr.:
822EL-2363650 Herst.-Nr.:
IPB65R041CFD7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,041 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,041 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 2363650, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB65R041CFD7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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