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| Artikel-Nr.:
822EL-2363654 Herst.-Nr.:
IPB65R110CFD7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,11 ? | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2363654, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB65R110CFD7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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