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ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2412311
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGWS80TS65GC13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 202 W
Gehäusegröße = To-247GE
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
71 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
202 W
Gehäusegröße:
To-247GE
Weitere Suchbegriffe: 2412311, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGWS80TS65GC13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
Die Konditionen im Überblick1
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