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| Artikel-Nr.:
822EL-2445369 Herst.-Nr.:
F475R06W1E3BOMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 275 W
Konfiguration = Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | +/-20V | Verlustleistung max.: | 275 W | Konfiguration: | Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445369, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, F475R06W1E3BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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