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| Artikel-Nr.:
822EL-2445379 Herst.-Nr.:
FP100R12KT4BOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 515 W Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | +/-20V | Verlustleistung max.: | 515 W |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445379, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP100R12KT4BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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