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Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2445407
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS150R12KT4B11BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 750 W
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
750 W
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445407, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS150R12KT4B11BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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