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Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. , 1200 V 4,3 kW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2445889
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FZ900R12KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
900 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
1
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445889, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FZ900R12KE4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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