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onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180BF (bleifrei und halidefrei) Pressstifte


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2456962
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NXH100B120H3Q0PG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
onsemi transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 61 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
61 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
2
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2456962, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0PG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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