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| Artikel-Nr.: 822EL-2481202 Herst.-Nr.: F3L150R07W2H3B11BPSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 4 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 85 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 4 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2481202, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, F3L150R07W2H3B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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