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Infineon IMBG65R057M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 39 A, 7-Pin TO-263-7
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
822EL-2489318
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IMBG65R057M1HXTMA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
39 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-263-7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
7
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
... >
Halbleiter
>
Diskrete Halbleiter
>
Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
2489318
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
Infineon
,
IMBG65R057M1HXTMA1
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Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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Originalverpackung ungeöffnet, ohne Beschädigung
Warenzustand:
unbenutzt
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20% des Warenwertes
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Zubehör
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Art
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Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
INFINEON 1ED3125MU12FXUMA1 GATE-TREIBER, -40 BIS 150°C
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
ab € 0,88*
Zubehör
INFINEON 1ED3890MC12MXUMA1 IGBT-TREIBER, HIGH-SIDE, 9A, 125°C
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
ab € 3,57*
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