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| Artikel-Nr.:
822EL-2533508 Herst.-Nr.:
BIDW50N65T EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 416 W
Gehäusegröße = TO-247 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 416 W | Gehäusegröße: | TO-247 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2533508, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bourns, BIDW50N65T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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