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Infineon IGBT / 890 A 20V max., 1200 V 20 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2539816
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF900R12ME7WB11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 890 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
890 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2539816, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF900R12ME7WB11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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