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Infineon IGBT / 75 A 20V max., 1200 V 20 mW


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2539841
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP75R12N3T7BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2539841, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP75R12N3T7BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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