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Infineon IGBT ±20V max., 1700 V AG-62MMHB-411


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580849
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF500R17KE4BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = AG-62MMHB-411
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
1700 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
AG-62MMHB-411
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580849, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF500R17KE4BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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