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Infineon IGBT / 35 A ±20V max., 1200 V 210 W AG-ECONO2B-411


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580870
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP35R12KT4BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 210 W
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-411
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
35 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
210 W
Gehäusegröße:
AG-ECONO2B-411
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580870, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP35R12KT4BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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