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Infineon IGBT / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W AG-ECONO2B-411


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580881
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R12KT4B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 280 W
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-411
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
280 W
Gehäusegröße:
AG-ECONO2B-411
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580881, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP50R12KT4B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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