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Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 650 V 335 W AG-ECONO2B-411


Menge:  Paket  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580886
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS100R07N2E4BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 335 W
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-411
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
335 W
Gehäusegröße:
AG-ECONO2B-411
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2580886, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS100R07N2E4BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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