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Infineon IGBT / 35 A ±20.0V max., 1200 V 20 mW AG-EASY1B-711


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580890
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS35R12W1T7B11BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20.0V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-EASY1B-711
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
35 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20.0V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
AG-EASY1B-711
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580890, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS35R12W1T7B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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