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Infineon IGBT ±20V max., 1200 V 350 W AG-ECONO2B-311


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580899
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS75R12KE3BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 350 W
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-311
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
350 W
Gehäusegröße:
AG-ECONO2B-311
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS75R12KE3BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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