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Infineon IGBT / 65 A ±20V max., 1200 V AG-EASY2B-711


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580906
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS75R12W2T7B11BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = AG-EASY2B-711
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
65 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
AG-EASY2B-711
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580906, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS75R12W2T7B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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