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Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2587725
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKB10N60TATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 110 W
Gehäusegröße = TO-263-3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
30 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
110 W
Gehäusegröße:
TO-263-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2587725, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB10N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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