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Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-3-46


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2605097
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKQ50N120CT2XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 652 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3-46
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
652 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3-46
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2605097, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKQ50N120CT2XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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