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Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 938 W PG-TO247-4-2


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2605108
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKY75N120CH3XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 938 W
Gehäusegröße = PG-TO247-4-2
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
938 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-4-2
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2605108, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKY75N120CH3XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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